40纳米工艺保有高可靠性与低成本高良率的优点 , 引进浸润式光刻机及应变硅技术 , 相较于55纳米工艺实现更高的整合度 , 效能增加幅度约20% , 操作功耗减少约30% , 计算能力大幅提升同时伴随尺寸的缩减与低功耗的表现 , 目标产品广泛应用于消费电子, 无线通信等
